<b>从根本提升你的内存性能</b> 2 ~% b) Q: z; K. l9 V5 {6 f& g& _+ R0 o
<FONT face=Arial color=black>随着软件规模的不断增大,内存对整个系统的重要性也不断上升。在很多情况下,内存对整个系统性能的重要性丝毫不亚于CPU。如果您能够非常合理地使用、优化您的内存,将对您的系统性能的提高起到非常重要的作用。 3 U4 h! V/ s9 [# A) S
1,BIOS中的硬件调节优化
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内存瓶颈一般由两方面原因造成:一方面是因为工作频率无法达到CPU的核心频率,所以无法与CPU同步运行;另一方面是因为内存在指令到达以后需要有几个时钟周期的延迟才能将数据传输出去,因此内存延迟时间也是限制内存存取速度的重要因素。在了解了这两个根本原因以后,我们在BIOS里面对内存进行设置时,就可以从这两个根本点出发来优化内存设置,达到提高性能的目的。
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+ N, ^5 m" G W& t7 @ y, N虽然目前的主流PC都已经进入了DDR的时代,但是还有相当一批用户仍然使用SDRAM的PIII或雷鸟系统,因此我们先来对SDRAM系统如何提升带宽进行一些简要的讲解。由于基于VIA和SiS芯片组的主板大多支持内存与CPU外频的异步工作,这使我们有了对频率进行调节的可能。首先我们进入BIOS的主菜单,再进入“Advanced Chipset Features”这个项目,在第四行可以看到“DRAM CLOCK”项目,在这里我们可以手动设置内存的运行频率。这里有三项可以选择,从上至下分别代表“和外频同步”、“比外频低33MHz”与“高于外频33MHz”,如果您使用的是Celeron或是100MHz外频的PIII以及雷鸟处理器,而内存又是PC133的,那么一定要选择第三项,让内存频率高于系统外频来运行。即使您用的是PC100内存,也一样可以尝试让它运行在133MHz的频率下。如果您用的是非常优秀的PC133内存(诸如Kingston、Kingmax等),而CPU又是133MHz外频的PIII,您甚至可以试着让内存运行在166MHz下。如果内存在超频后不稳定,可以适当提高一点内存延迟时间来试试。 - D( Q$ R. @4 @! C k
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DDR系统
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目前使用RAMBUS内存系统的用户人数很少,所以在此就不介绍这方面的内容了,我们将着重讲解一下DDR系统的内存优化设置方法。现在DDR内存以DDR266、DDR333和DDR400这三种规范为主,虽然个别厂商发布了DDR433和DDR466内存,但这并没有被官方认可为标准频率,因此市场的保有量也很少。因为DDR内存在时钟的上升沿和下降沿都传输数据,而SDRAM只在时钟上升沿传输数据,因此DDR的命名方式是相对于运行在这个频率下的SDRAM内存的两倍传输带宽而得来的。也就是说,并非DDR400的内存就是运行在400MHz下,它的实际频率只有200MHz。了解了这些,有助于我们接下面来更改DDR的内存设置。
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下面以一套Barton核心的Athlon XP3000+ CPU搭配一条256MB DDR333的内存和ASUS nforce2的主板为例,讲解一下在内存优化方面的设置。首先进入BIOS中,进入“Advanced”页的“Advanced Chipset Features”这项,在下面第四行的“System Performance”中有三个项目可以选择,默认的是第一种“Optimal”优化方式,我们也可以选择第二项“Aggressive”,BIOS会尽可能地将系统参数配置到内存允许的最佳状态下,如果选择用这种方式,那么确认后重起,再进入BIOS会看到自动配置新的方案:内存的运行频率和CPU外频同步(即“Memory Frequency”显示“100%”),都是166MHz,内存的其他各项延迟时间也都自动配置好了,这和内存SPD内所记录的信息一致。我们还可以在“System Performance”中选择手动配置(“User Defined”),接下来在“Memory Frequency”中就可以手动选择多种速度匹配模式,我们可以选择从内存SPD自动获取信息,也可以手动选择内存相对于CPU外频的频率比例。如果您不清楚自己使用的是什么内存,可以选择“SPD”让系统自动从内存的SPD芯片中获取信息。
# ]3 }4 t, _' z% `3 J( W5 V如果你想让内存运行在更高的频率下,就需要手动选择内存频率对系统外频的比率了,我们使用的是DDR333内存,由于内存质量很好,所以可以尝试着让它超频运行在200MHz下,也就是相当于DDR400。因此,我们现在选择“120%”,按回车确定后,可以看到“Resulting Frenqucy”频率是200MHz。这种Phoenix BIOS的好处就是,即使您使用的是100MHz外频的老雷鸟或是133MHz外频的老Athlon XP,也可以使用DDR400的内存,让内存运行在200MHz下面,甚至更高。如果打算让内存超频的用户,为了增加稳定性和超频的成功率,可以在“DDR Reference Voltage”的项目里适当地提高0.1v或0.2v的DDR内存电压。 3 R' ^3 i5 B4 m. a+ Y
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对于P4平台采用Award BIOS的主板来说,内存的频率调节更容易一些。进入BIOS的“Frequence/Voltage Control”里,如果您采用的是FSB533的P4 CPU,那么可以看到在“CPU:DRAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。对自己内存不甚了解的用户还可以选择“SPD”自动侦测模式。如果想超频内存,那么就需要手动设置比例数。如果CPU外频为133,想将内存超频到200MHz使用,那么就需要选择“2:3”的比值。如果要让DDR266内存超频到DDR333,无疑就要选择“3:4”。如果用户采用的是100 MHz外频的P4,也就是400MHz FSB的P4,那么就会看到,多出了“2:4”这个比例,选择它一样可以让用户使用DDR400内存。需要说明的是,为了保证稳定性和超频成功,我们都把DDR内存电压增加了0.2v,我们在下面的“Add Voltage”里面可以手动选择电压提高量。*【提高内存电压时要注意,不要猛地提高过多,以免对内存造成损坏。】
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: U& }+ M/ P4 Z( S4 D. F2,降低内存延迟时间,对于提升系统的运行速度也是非常有效果的。
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进入BIOS主菜单的“Advanced Chipset Features”项,首先来调节“SDRAM Cycle Length”这一项,有的主板显示的是“SDRAM CAS Latency Time”,意思都一样,就是在列地址选中后还要经过多少时钟周期才能进行数据传输,单位是CLK(Clock Cycle,时钟周期)。减少这个延迟时间无疑能较明显地增加内存在任何方式(无论是Bank内的突发传输还是跨Bank的普通传输)下的传输性能。如果您的内存速度允许,可以选择“2”。PC133的规范是,在133MHz下CAS Latency为2,因此为了提高性能可以选择“2”。但在内存超频的时候,选择“3”会让系统更稳定,增加内存超频后的成功率。 5 O* R9 C. `# P0 j. N5 }' q
/ X' C& i- h! {) _" w在Bank 0/1 DRAM Timing中,可以设置内存的其他延迟时间,在此并没有提供更加具体细致的延迟设置,而只有从“SDRAM 8/10ns”到“Turbo”等五种选择,其中“Turbo”是将内存延迟时间设置到最低,也就是系统性能最快。而“Fast”“Medium”“Normal”等几项,延迟时间依次递增,希望获得更好性能的用户选择“Turbo”就可以了。PC133内存中,能同时设置成CAS Latency=2和Turbo的并不多,需要内存的品质很好才行。 0 _4 q7 R% X& V L, ?: i
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" j0 K: G' ?, S- J# m一般DDR系统都可以更加细致地设置内存的其他几项延迟时间。以nforce2主板为例,进入BIOS主页面的“Advanced”页,,再进入“Advanced Chipset Features”项,先在“System Performance”项目中选择“User Defined”进行手动调节,然后再在下面的“Memory Timings”里面选择成几种不同的模式。BIOS默认的是“Optimal”优化方式,这是最保守的设置,如果用户希望得到最高的性能,可以选择第二项“Aggressive”,系统会自动降低内存延迟时间的各项设置,尽可能地提高性能;最后还有手动调节“User Defined”模式,设置手动模式后,下面的四项内存高级设置即被打开。
* v; o1 R2 H4 ]" N$ k! F% t4 m) M第一项“SDRAM Active Precharge Delay”就是我们上面说到的Bank预充电时间延迟,缩写是“tRP”或“t(RP)”,有的主板BIOS写为“Time of Row Prechange”,这个项目默认值视内存而定,可以设置为4、3或2。第二项“SDRAM RAS to CAS Delay”是行地址选中后经过多少周期就到了列地址选中的时间,有的主板写为“Time of RAS to CAS Delay”,缩写为“tRCD”或“t(RCD)”,默认数值视内存而定,可以设置为4、3或2。第三项是“SDRAM RAS Prechange Delay”,这就是行地址选中前的延迟时间,有的主板写为“Time of Row Address Strobe”,缩写为“tRAS”或“t(RAS)”,默认数值一般为8,为提高性能可以设置为7、6甚至5。最后一项是“SDRAM CAS Latency”,有的主板写成“CAS Latency”,缩写为“CL”,意义为在列地址选中经过几个时钟周期后才能进行数据传输,默认数值一般为3或2.5,为了提高性能我们可以在高品质的内存上将它的数值缩小为2。如果在此选择了“Auto”,就是通过内存的SPD自动读取信息。
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